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華邦領先推出超低電壓快閃記憶體系列產品

 2017-07-21

支援小型8引腳封裝,與1.2V和1.5V工作電壓
全球記憶體領導供應商之一的華邦電子,日前宣布推出SpiFlashR 低電壓串列式快閃記憶體產品系列,大幅擴充快閃記憶體的產品線。該新產品的工作電壓為1.2V與1.5V,為業界編碼型快閃記憶體(NOR Flash)中電壓最低的產品,適合研發人員開發語音、穿戴式、物聯網與其他要求低耗電和小型封裝的產品應用,其低電壓與每秒52MB傳輸速度使SpiFlashR記憶體產品適用於廣泛的消費性與工業性應用。

1.2V電壓的產品其工作電壓範圍從1.14V到1.3V,適用於任何超低耗電的應用,而1.5V電壓的產品支援從1.14V到1.6V的寬電壓操作,提供可攜式產品持久的電池續航力,無論是新電池或電池使用一段時間後,電壓逐漸下降的情況皆適用。

華邦電子的兩款新產品線—SpiFlashR低電壓記憶體降低待機與省電模式時的電流,在高時脈頻率時產生較低的讀取電流,透過領先業界的低功耗設計提供較長的電池續航力。1.5V延伸型記憶體充分利用1.5V電池的工作電壓範圍,確保正常運作,而新電池達到最低1.14V工作電壓時仍支援全電壓範圍。

WebFeet Research市場研究機構的副總Alan Niebel指出:「在2020年前,物聯網市場上將會有500億個聯網裝置,感測器將需要使用超低耗能的串列式編碼型快閃記體來延長電池使用時間。」他也提到,華邦電子的1.2V串列式四通道編碼型記憶體透過超低功耗的設計與其他較高電壓的編碼型記憶體零件在市場上競爭。他認為此種設計對於使用電池或能源採集方式供電的穿戴式、工業性、行動式與藍芽物聯網產品來說相當有幫助。

大部分的串列式快閃記憶體用於程式碼代碼映射(code shadowing),儲存在快閃記憶體中的程式碼轉換到DRAM執行運算與儲存資料。其他常用的功能包含晶片內執行(XIP),這裡的讀取效能很重要,應用程式可以直接在快閃記憶體內運行。

這兩款低電壓的系列產品支援四通道串列周邊介面(SPI)與四元週邊介面(QPI),在晶片內執行(XIP)運作時,可達每秒52MB的資料傳輸速度,與目前市面上1.8V與3V串列式快閃記憶體產品的性能相當。

因為能提供每秒52MB的資料讀取速度以及快速的記憶體寫入/抹除,記憶體可配合所有支援1.2V與1.5V延伸電壓範圍的晶片,能滿足消費性、工業性與其他低耗能應用對於串列性快閃 記憶體的要求。


Espressif Systems執行長Teo Swee Ann說:「華邦電子的低耗能串列式快閃記憶體產品已經成為物聯網與智慧聯網設備的理想選擇,該公司使1.2V串列式快閃記憶體產品的功能更加提升,搭配我們支援WiFi與Bluetooth連線的超低功耗ESP32 晶片, 已經證明能進一步減少電源消耗,該產品已經在我們的系統上測試成功,我們希望能盡快地以模組式的產品推向市場。」

1.2V與1.5V延伸型SpiFlashR串列式快閃記憶體規格如下:

低功耗、工業級操作溫度
• 1.2V電壓產品系列支援 1.14V to 1.3V 單電源
• 1.5V延伸電壓產品系列支援1.14V to 1.6V 單電源
• 2mA操作電流
• 省電模式電流值 < 0.5μA
• -40°C to +85°C 環境操作溫度

彈性架構與4KB 磁區
• 均一的4K-byte可抹除分區
• 均一的32K與64K-byte可抹除區塊
• 可一次寫入1到 256 bytes
• 支援暫停與回復抹除/寫入操作

高效能串列式快閃記憶體
• 單、雙、四通道串列周邊介面(SPI)與全時四通道串列週邊介面(QPI)
• 支援104MHz 時脈與每秒高達52MB的資料傳輸速度

節省空間的封裝方式
• 8引腳 SOIC 150mil
• USON8 2X3mm
• 8錫球晶圓級晶片尺寸封裝  (WLCSP)
• 已完整測試晶粒 (KGD)

 

此款超低電壓的SpiFlash®新產品可節省電路板空間,可使用尺寸較小的低壓差穩壓器(LDO)來取代尺寸較大的電源管理IC,節省電路板空間外也同時降低物料成本(BOM)。SpiFlash®的超低待機電源特性可延長電池使用時間,進而使設備的使用時間變長。此外,較低的電壓可減少雜訊耦合,讓電路板設計更精簡,體積更小。

華邦電子快閃記憶體產品中心行銷副總JW Park說:「我們擴大SpiFlash®產品系列,包含超低電壓的串列式快閃記憶體,讓研發人員能設計出更節能且省成本的產品。華邦開發1.2V 與1.5V低電壓的系列產品讓研發人員能設計出單一小尺寸的產品,將會提供從1Mb到128Mb的儲存空間範圍。」

為了因應全球市場對於高容量產品的需求,華邦電子的SpiFlash®產品將會在該公司位於台中的12吋晶圓廠中生產。

此系列的第一款產品W25Q80NE具備8Mb儲存空間,今天開始提供樣品,並於2018年初開始生產。其他包含支援1.2V電壓與1Mb到128Mb儲存空間的產品,以及支援1.5V到1.2V寬電壓的產品也將陸續推出。