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英飛凌新款邏輯位準 MOSFET 採用 PQFN 封裝 實現高功率密度

 2017-04-07

英飛凌科技股份有限公司推出新邏輯位準 IR MOSFET™ 系列產品,包括  60V、80V 和 100V 三種不同的電壓等級,採用 2 mm x 2 mm PQFN 封裝,非常適合有外型尺寸限制的無線充電、變壓器和電信等應用。 新款產品除了精巧的封裝尺寸,也具備更高的功率密度及更佳的效能,同時還能節省空間、減少零件數量以及降低整體系統成本。

 

新款 IR MOSFET 裝置採用 PQFN 封裝,其 RDS(on) 較競爭對手產品低了 11% 至 40%。超低閘極電荷 (Qg) 可減少切換損耗,同時不增加導通損耗。此外,輸出電容 (COSS) 和逆復原電荷 (Qrr) 均已最佳化,FOMg (RDS(on) x Qg/gd) 也有所提升。IR MOSFET 裝置能在最高 6.78 MHz 的高切換頻率下運作,可充分滿足振諧式無線充電應用的需求。邏輯位準閘極驅動擁有低閘極閾值電壓 (VGS(th)),僅需 5V 即可直接由微控制器驅動 MOSFET。

供貨情形
本款 IR MOSFET 系列現已提供 60V 與 80V 產品,100V 裝置已在開發當中。詳細資訊請瀏覽 www.infineon.com/IR-MOSFET- logiclevel。