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英飛凌推出適合低/高功率高效率應用的高壓 MOSFET

 2017-04-12

英飛凌科技股份有限公司擴增旗下 CoolMOS™ 技術產品系列,推出 600 V CoolMOS™ P7 和 600 V CoolMOS™ C7 Gold (G7) 系列,能夠以 600 V 崩潰電壓運作,具有更佳的超接面 MOSFET 效能,可讓各種目標應用達到無可比擬的功率密度。



600 V CoolMOS P7:高效率和易用性的最適組合
新推出的 P7 在一體化設計的流程中提供出色的易用性,基準的效率和最佳的性價比,目標應用包括充電器、適配器、照明、電視、PC 電源、太陽能、伺服器、電信及 EV 充電等,可涵蓋 100 W 至 15 kW 的功率等級。600 V CoolMOS P7 可在各種拓樸中實現多達 1.5% 的效率提升,溫度改善亦較競爭產品多達 4.2°C。

600 V CoolMOS P7 產品擁有 37 mΩ 至 600 mΩ 的寬廣通態電阻RDS(on) 範圍,提供表面黏著 (SMD) 或插入型封裝,適合多種應用與功率範圍。此外,超過 2 kV (HBM) 的卓越 ESD 耐用性,可保護裝置避免因生產過程中的靜電放電而損壞,進而提升了製造品質。最後,強固的本體二極體則能在 LLC 電路的硬式換流事件中保護裝置。

600 V CoolMOS C7 Gold:創新 SMD TO 無引線封裝實現同級最佳 FOM
G7 具有更低的通態電阻 RDS(on)、最小的閘極電荷 QG、更低的輸出電容儲存電力以及 TO 無引線封裝提供的4 接腳 Kelvin 源極功能,可將 PFC 與 LLC 電路的耗損降到最低,實現 0.6% 的效能提升,並提高 PFC 電路的全負載效率。低寄生源電感僅 1 nH,亦有助於提高效率水準。

TO 無引線封裝擁有更佳的散熱性,適用於更高電流的設計。而 SMD 技術則有利於節省黏著製程成本。此外,600 V CoolMOS C7 Gold 擁有業界最低的 RDS(on),介於 28 mΩ 至 150 mΩ。相較於傳統的 D2PAK封裝,其尺寸縮小 30%、高度減少 50%、空間節省 60%。綜合上述特性,使本產品極適合應用於伺服器、電信、工業與太陽能等需求最高效能與基準功率密度的應用。

供貨情形
600 V CoolMOS P7 與 600 V CoolMOS C7 Gold 系列均已量產,亦可訂購樣品。詳細資訊敬請瀏覽 www.infineon.com/600v-p7www.infineon.com/c7-gold-toll

關於英飛凌
英飛凌科技股份有限公司是全球半導體領導廠商,致力於讓生活更簡單、更安全、更環保。英飛凌的微電子是進化未來的關鍵技術。2016 會計年度 (截至9月底),公司營收為 65 億歐元,全球員工約 36,300 名。