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意法半導體(ST)提升車用40V MOSFET的雜訊性能和能效

 2017-03-08

ST發佈兩款40V汽車級MOSFET。新產品採用意法半導體最新的STripFET™ F7製造技術,開關性能優異,能效出色,雜訊輻射極低,耐誤導通能力強。新產品最大輸出電流達到120A,主要目標應用包括高電流的動力總成、車身或底盤和安全系統,同時優異的開關特性使其特別適用於電機驅動裝置,例如電動助力轉向系統(EPS)。

 

意法半導體的STripFET系列採用DeepGATE™技術降低晶片單位面積導通電阻RDS(on)和RDS(on) x 柵電荷(Qg)值,在採用相同的功率器件封裝條件能效非常優異。高雪崩特點是新產品另一大亮點。

 

通過降低體效應二極體的反向恢復電荷(Qrr)和反向恢復時間(trr),STripFET F7的開關性能尤其是能效大幅提升,同時軟度更高的反向恢復可最大限度降低靜電干擾 (EMI),從而放寬對濾波器件的要求。此外,電容得到優化,使器件抗噪性得到改善,緩解了對緩衝電路的需求,閾壓調校使器件具有良好的耐抗誤導通性能,而無需專用柵驅動器。在電機驅動等電橋拓撲中,二極體軟恢復方法有助於防止直通電流現象發生,從而提高驅動電路的可靠性。

 

40V STL140N4F7AGSTL190N4F7AG通過AEC-Q101標準認證,採用側面支持濕法焊接的PowerFLAT 5x6封裝。緊湊的封裝面積和0.8mm的厚度支援高系統功率密度,此外側面鍍錫設計有助於提升焊接可靠性和壽命,100%支援自動光學檢驗工序。

 

40V車用STripFET F7 MOSFET已量產。

 

詳情訪問:www.st.com/stripfetf7